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半導(dǎo)體泵浦激光原理實驗裝置

半導(dǎo)體泵浦激光原理實驗裝置

產(chǎn)品時間:2024-09-02

簡要描述:

WGL-2 半導(dǎo)體泵浦激光原理實驗裝置適用于大學(xué)近代物理教學(xué)中非線性光學(xué)實驗,本實驗以808nm半導(dǎo)體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象,讓學(xué)生自己動手,調(diào)整激光器光路。在諧振腔中插入KTP晶體產(chǎn)生532nm倍頻光,觀察倍頻現(xiàn)象,測量相位匹配角,閾值等基本參數(shù)。從而對激光原理及激光技術(shù)有一定的了解。

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WGL-2半導(dǎo)體泵浦激光原理實驗裝置

儀器介紹
    適用于大學(xué)近代物理教學(xué)中非線性光學(xué)實驗,本實驗以808nm半導(dǎo)體泵浦Nd:YVO4激光器為研究對象,讓學(xué)生自己動手,調(diào)整激光器光路。在諧振腔中插入KTP晶體產(chǎn)生532nm倍頻光,觀察倍頻現(xiàn)象,測量相位匹配角,閾值等基本參數(shù)。從而對激光原理及激光技術(shù)有一定的了解。

WGL-2半導(dǎo)體泵浦激光原理實驗裝置基本配置及參數(shù):

編號

名稱

規(guī)格

件數(shù)

1

導(dǎo)軌主體

長1m,硬鋁型材

1

2

808半導(dǎo)體激光器

連續(xù)輸出功率:500mW,中心波長:808±10nm,
    偏振態(tài):TE

1

3

氦氖激光器

632.8nm,功率≤1mW

1

4

紅外顯示卡

可觀察0.7~1.6μm的近紅外光

1

5

KTP晶體

透過波段:0.35~4.5μm,電光系數(shù):γ33=36Pm/V

1

6

Nd:YVO4晶體

摻Nd3+濃度0.1~3.0 atm%,平面度<λ/10@632.8nm
    鍍膜:AR@1064nm,R<0.1%,HT@808nm,T>90%

1

7

光學(xué)元件

輸出鏡(R=50mm),濾光片

各1

8

光功率測試儀

2μW、20μW、200μW、2mW、
    20mW、200mW六檔功率范圍3位半數(shù)字顯示器

1

9

其他

光源架,四維調(diào)節(jié)架,二維調(diào)節(jié)架,光靶

 

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